單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開(kāi)槽時(shí)，多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
2.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開(kāi)槽時(shí)，普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
3.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
4.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測(cè)試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
5.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層，墊層厚度可?。ǎ?。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題