單項(xiàng)選擇題原位雙剪法在測(cè)區(qū)內(nèi)選擇測(cè)點(diǎn)是，試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
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1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時(shí)，應(yīng)根據(jù)測(cè)試儀表的校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
2.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)量被測(cè)灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
3.單項(xiàng)選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級(jí)不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
4.單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備，在檢測(cè)前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對(duì)誤差不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
5.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題