A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
D.開槽時(shí)不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
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A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）