A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
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你可能感興趣的試題
A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗收統(tǒng)一標(biāo)準》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗方法標(biāo)準》
E、《砌體工程現(xiàn)場檢測技術(shù)標(biāo)準》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強度試驗報告單
C、各檢驗批的主控項目、一般項目的驗收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
可用作硅片的研磨材料是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()