多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)的測(cè)試設(shè)備、儀器應(yīng)按相應(yīng)（）規(guī)定進(jìn)行保養(yǎng)和校準(zhǔn)，必要時(shí)尚應(yīng)按使用頻率、檢測(cè)對(duì)象的重要性適當(dāng)增加校準(zhǔn)次數(shù)。

A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號(hào)
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時(shí)間


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2.多項(xiàng)選擇題砌體工程（）環(huán)境溫度和試件溫度均應(yīng)高于0℃。

A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)

3.多項(xiàng)選擇題砌體工程檢測(cè)在測(cè)點(diǎn)上開鑿水平槽孔時(shí)，應(yīng)符合下列要求（）。

A、上水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊，普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí)，在避免擾動(dòng)四周的砌體；槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚

4.多項(xiàng)選擇題某萬能液壓試驗(yàn)設(shè)備的量程為600KN，可用該設(shè)備進(jìn)行下列試驗(yàn)（）。

A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br /> D、M15水泥砂漿試塊試壓

5.多項(xiàng)選擇題多層砌體結(jié)構(gòu)房屋的層高不應(yīng)超過（）。

A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m

最新試題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項(xiàng)選擇題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題