阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵頻率對曲線位置的影響。

電阻值愈小的材料，導電性能就愈好。

石墨材料具有一定的導電能力，與硅、鍺元素同屬半導體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測石墨及其復合材料制品。

非鐵磁性材料也存在磁滯現(xiàn)象相，但要比鐵磁材料小得多。

金屬在壓應力作用下，由于原子振幅的減小，導致電導率減小。

溫度升高會導致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電阻增大，電阻與溫度之間存在線性關系。

純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質(zhì)含量極少，則不會導致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。

理論上講，渦流在導體中的透入深度與渦流的頻率和導體的電磁特性有關，與激勵信號的強度無關。

經(jīng)歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導率、磁導率等）作參量。

金屬氧化物雖由金屬經(jīng)氧化而得，都能保持原來的導電性。