雜質(zhì)會導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，使電導(dǎo)率增加。

鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復(fù)阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。

有效磁導(dǎo)率μeff是一個完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。

理論上講，渦流在導(dǎo)體中的透入深度與渦流的頻率和導(dǎo)體的電磁特性有關(guān)，與激勵信號的強(qiáng)度無關(guān)。

不同鐵磁性材料的飽和磁滯回線所包圍的面積是不同的，軟磁性材料的磁滯回線形狀肥大，包圍的面積大，表示其磁化困難。

溫度升高會導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電阻增大，電阻與溫度之間存在線性關(guān)系。

純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質(zhì)含量極少，則不會導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。

在檢查鐵磁性材料的缺陷時，常用直流磁化的方法將鐵磁性材料磁化到飽和區(qū)，使磁導(dǎo)率的變化向等于1的漸近線趨近，故可作為非鐵磁性材料來對待。

對于非鐵磁性材料來說，相同的磁場強(qiáng)度引起的變化，要比鐵磁材料小得多，而其回線是直線，沒有飽和與滯后現(xiàn)象。磁滯現(xiàn)象是鐵磁性材料磁化所特有的現(xiàn)象。

經(jīng)歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率等）作參量。