單項選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
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1.單項選擇題下列哪一項不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
2.單項選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
3.單項選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗多晶硅中基磷含量時，采用快速區(qū)熔法的工藝時，第一次區(qū)熔時，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
4.單項選擇題光圖定向法結果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復雜較大
C．簡單較小
D．復雜較小
5.單項選擇題（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
最新試題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題