晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。