問(wèn)答題影響硅單晶電化學(xué)腐蝕速度的因素有哪些？
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1.問(wèn)答題半導(dǎo)體單晶中的點(diǎn)缺陷包括什么？
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最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線(xiàn)中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題