單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是（）。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
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1.單項選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。
A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大
B.具有一定的機械強度，耐熱沖擊，耐腐蝕
C.不易得，昂貴
D.容易再生
2.單項選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是（）。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
3.單項選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會導(dǎo)致固液界面的形狀（）。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化
4.單項選擇題通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場
5.單項選擇題硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
最新試題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題