單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
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1.單項選擇題其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
2.單項選擇題參雜硼元素的半導體是().
A.p型半導體
B.本征半導體
C.N型半導體
D.pn結(jié)
3.單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是()。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
4.單項選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是()。
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機械強度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
5.單項選擇題下列與硼氧復合體缺陷無關(guān)的是()。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
最新試題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題