1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。