1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。