利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關(guān)，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

簡述真空蒸鍍的原理。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。