A、發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)的摻雜濃度 B、基區(qū)非常薄 C、集電區(qū)摻雜濃度較小,集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)的面積大 D、以上三項
A、電壓 B、電流 C、電阻 D、電極
A、合金管和平面管 B、合金管和晶體管 C、晶體管和平面管 D、合金管、平面管和晶體管