A.成本低 B.再生速率快 C.無污染 D.設(shè)備簡單
A.溶液溫度過高 B.溶液被污染 C.顯影有余膠 D.傳遞速度過快
A.等離子體蝕刻系統(tǒng)的形態(tài) B.等離子體蝕刻的參數(shù) C.光刻膠 D.待蝕刻薄膜的淀積參數(shù)條件