問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

答案：第一次光刻：N+隱埋層擴(kuò)散孔光刻
第二次光刻：p+隔離擴(kuò)散空光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響是？

答案：

電阻率過(guò)大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴(kuò)大飽和壓降，若過(guò)小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時(shí)下推大。

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答案：

減小集電極串聯(lián)電阻，減小寄生PNP管的影響。