答案：首先NPN具有較薄的基區(qū)，提高了其性能：N阱使得NPN管C極與襯底斷開，可根據(jù)電路需要接任意電位。缺點(diǎn)：集電極串聯(lián)電阻還...

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問答題
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答案：
NPN晶體管電流增益小，集電極串聯(lián)電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。
問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。
答案：
P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。