問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？

答案：短溝道效應(yīng)是指：當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度變短到可以與源漏的耗盡層寬度相比擬時(shí)，發(fā)生短溝道效應(yīng)，柵下耗盡區(qū)電荷不再完全受柵...

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【簡(jiǎn)答題】什么是器件的亞閾值特性，對(duì)器件有什么影響？
答案：器件的亞閾值特性是指在分析MOSFET時(shí)，當(dāng)Vgs
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】OC門(mén)在結(jié)構(gòu)上作了什么改進(jìn)，它為什么不會(huì)出現(xiàn)TTL與非門(mén)并聯(lián)的問(wèn)題？
答案：去掉TTL門(mén)的高電平的驅(qū)動(dòng)級(jí)，oc門(mén)輸出端用導(dǎo)線連接起來(lái)，接到一個(gè)公共的上拉電阻上，實(shí)施線與，此時(shí)就不會(huì)出此案大電流灌入...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么TTL與非門(mén)不能直接并聯(lián)。
答案：當(dāng)電路直接并聯(lián)后，所有高電平的輸出電流全部灌入輸出低電平的管子，可能會(huì)使輸出低電平的管子燒壞。并會(huì)使數(shù)出低電平抬高，容易...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】四管與非門(mén)中，如果高電平過(guò)低，低電平過(guò)高，分析其原因，如與改善方法，請(qǐng)說(shuō)出你的想法。
答案：輸出高電平偏低：VCE3和R5上的電壓過(guò)大，可以通過(guò)減小VCE3和IC3來(lái)實(shí)現(xiàn)。
輸出高電平偏高：VCE5上的...
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【簡(jiǎn)答題】相對(duì)于五管與非門(mén)六管與非門(mén)的結(jié)構(gòu)在哪些部分作了改善，分析改進(jìn)部分是如何工作的？
答案：六管單元用有源泄放回路RB-RC-Q6代替了R3；
由于RB的存在，使Q6比Q5晚導(dǎo)通，所以Q2發(fā)射基的電流全...
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【簡(jiǎn)答題】?jī)晒芘c非門(mén)有哪些缺點(diǎn)，四管及五管與非門(mén)的結(jié)構(gòu)相對(duì)于兩管與非門(mén)在哪些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管與非門(mén)對(duì)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)有哪些方面的改進(jìn)。
答案：兩管與非門(mén)：輸出高電平低，瞬時(shí)特性差。
四管與非門(mén)：輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu)Q3--D，由于D是多子器件，他會(huì)使Tp...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】在四管標(biāo)準(zhǔn)與非門(mén)中，那個(gè)管子會(huì)對(duì)瞬態(tài)特性影響最大，并分析原因以及帶來(lái)哪些困難。
答案：Q5管影響最大，他不但影響截至?xí)r間，還影響導(dǎo)通時(shí)間。當(dāng)輸出從低電平向高電平轉(zhuǎn)化時(shí)，要求Q5快速退出飽和區(qū)，此時(shí)如果再導(dǎo)通...
名詞解釋
靜態(tài)功耗
答案：指某穩(wěn)定狀態(tài)下消耗的功率，是電源電壓與電源電流之乘積。電路有兩個(gè)穩(wěn)態(tài)，則有導(dǎo)通功耗和截止功耗，電路靜態(tài)功耗取兩者平均值，...
名詞解釋
邏輯擺幅
答案：
-輸出電平的最大變化區(qū)間，VL=VOH-VOL。
名詞解釋
關(guān)門(mén)電平
答案：
關(guān)門(mén)電平VILmax-為保證輸出為額定高電平時(shí)的最大輸入低電平（VOFF.。

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【簡(jiǎn)答題】MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？

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靜態(tài)功耗

邏輯擺幅

關(guān)門(mén)電平

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【簡(jiǎn)答題】為什么TTL與非門(mén)不能直接并聯(lián)。

【簡(jiǎn)答題】四管與非門(mén)中，如果高電平過(guò)低，低電平過(guò)高，分析其原因，如與改善方法，請(qǐng)說(shuō)出你的想法。

【簡(jiǎn)答題】相對(duì)于五管與非門(mén)六管與非門(mén)的結(jié)構(gòu)在哪些部分作了改善，分析改進(jìn)部分是如何工作的？

【簡(jiǎn)答題】在四管標(biāo)準(zhǔn)與非門(mén)中，那個(gè)管子會(huì)對(duì)瞬態(tài)特性影響最大，并分析原因以及帶來(lái)哪些困難。

靜態(tài)功耗

邏輯擺幅

關(guān)門(mén)電平

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【簡(jiǎn)答題】為什么TTL與非門(mén)不能直接并聯(lián)。

【簡(jiǎn)答題】四管與非門(mén)中，如果高電平過(guò)低，低電平過(guò)高，分析其原因，如與改善方法，請(qǐng)說(shuō)出你的想法。

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