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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】請(qǐng)以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng)，并解釋其對(duì)PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。
答案：
對(duì)于PMOS晶體管，通常情況下襯底和源極都接最高電位，襯底偏壓，此時(shí)不存在襯偏效應(yīng)。而當(dāng)PMOS中因各種應(yīng)用使得源端電位...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？
答案：
短溝道效應(yīng)是指：當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度變短到可以與源漏的耗盡層寬度相比擬時(shí)，發(fā)生短溝道效應(yīng)，柵下耗盡區(qū)電荷不再完全受柵...
