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問答題
【簡答題】采用MOSFET作為nMOS反相器的負(fù)載器件有哪些優(yōu)點(diǎn)？
答案：
采用負(fù)載電阻會占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無源負(fù)載反相器有更好的...
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問答題
【簡答題】為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？
答案：
晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
問答題
【簡答題】什么是溝道長度調(diào)制效應(yīng)，對器件有什么影響？
答案：
MOS晶體管存在速度飽和效應(yīng)。器件工作時，當(dāng)漏源電壓增大時，實(shí)際的反型層溝道長度逐漸減小，即溝道長度是漏源電壓的函數(shù)，這...
