鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來到大眾視線

制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。

使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。

下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。

為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。

下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。

按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。