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先導(dǎo)通道的形成是以()的出現(xiàn)為特征。
A、碰撞游離
B、表面游離
C、熱游離
D、光游離
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采用真空提高絕緣強度的理論依據(jù)是()。
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流注理論未考慮()的現(xiàn)象。
A、碰撞游離
B、表面游離
C、光游離
D、電荷畸變電場
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