光刻工藝的特點包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）