MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。