已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號被讀出后，還需經(jīng)過一個（）送到被控制部件。（3）相對硬連線控制器，微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運(yùn)行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

存儲在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為（）。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。