MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

利用熱電偶的電勢(shì)與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來(lái)測(cè)量真空度的真空計(jì)。

溫度的高低不必用數(shù)字來(lái)說(shuō)明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

簡(jiǎn)述雜質(zhì)對(duì)擴(kuò)散的影響。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

吸附平衡關(guān)系由吸附過(guò)程的方向和極限決定的，是吸附過(guò)程的基本依據(jù)。

渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過(guò)渦流流體的傳遞過(guò)程。