紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。