在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？