A.1,100B.0.5,50C.1,50D.2,100
電路如圖所示,要使得晶體管工作在飽和區(qū),且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,k′n=100μA/V2,忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),則電阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25B.4,6C.3,7D.3.25,5
A.最高,最高B.最高,最低C.最低,最高D.最低,最低