A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
C.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
D.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
E.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為兩個(gè)電子的過(guò)程
A.125keV
B.200keV
C.250keV
D.350keV
E.511keV
A.散射光子的能量隨散射角增大而增大,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將增大
B.散射光子的能量隨散射角增大而增大,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將減少
C.散射光子的能量隨散射角增大而減少,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將增大
D.散射光子的能量隨散射角增大而減少,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將減少
E.散射光子的能量隨散射角減少而減少,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將增大
最新試題
射野擋鉛的制作材料一般是()
當(dāng)使用電子線照射需要作內(nèi)遮擋時(shí),為了降低電子束的反向散射,通常在擋鉛與組織之間()
為了防止非隨機(jī)性效應(yīng),放射工作人員任一器官或組織所受的年劑量當(dāng)量不得超過(guò)下列限值()
治療室屏蔽設(shè)計(jì)考慮的因素有()
使用高能電子束照射時(shí),其PDD隨射野面積變化的關(guān)系是()
一個(gè)6cm×14cm的矩形照射野,其等效方野的邊長(zhǎng)為()
高能電子線等劑量線分布的顯著特點(diǎn)是()
臨床患者照射時(shí)常用的防護(hù)措施有()
在電子平衡條件下,如果空氣中照射量X為228.2倫琴(1R=2.58x10-4C/kg),則其比釋動(dòng)能K為()
電子射程的含義為()