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A.10～30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30keV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10～30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30keV～25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10～30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30keV～25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10～30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30keV～25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10～30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，30keV～25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)，25～100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)

A.對(duì)低能γ線(xiàn)和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線(xiàn)和原子序數(shù)低的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線(xiàn)和原子序數(shù)高的物質(zhì)，電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線(xiàn)和原子序數(shù)高的物質(zhì)，光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線(xiàn)和原子序數(shù)高的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)為主