A.雷替曲塞+順鉑 B.雷替曲塞+奧沙利鉑 C.培美曲塞+順鉑 D.培美曲塞+奧沙利鉑 E.吉西他濱+順鉑
A.DT10~30Gy B.DT20~40Gy C.DT30~50Gy D.DT40~60Gy E.DT50~70Gy
A.不設間隔以防病灶遺漏 B.不設間隔但每照射1000cGy,上下移動一次交接處 C.間隔1cm,每照射1000cGy,上下移動一次交接處 D.根據(jù)SSD射野長度和病灶深度計算間隔的寬度 E.間隔1cm或以上,以防照射區(qū)重疊造成脊髓損傷