如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。

如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。

在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1，在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。

如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。

真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。

兩個(gè)平行帶電平板，每個(gè)平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是（）。

如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。

如下幾種說法，正確的有（）。

真空中有一載流I=500A的無限長(zhǎng)直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為（）T。