真空中有一個半徑為a的金屬球，其電容為（）。

半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。

如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點處電場強度為（）。

圖10-66所示電路在達到穩(wěn)定狀態(tài)后移動R1上的滑動觸點，該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因為（）。

在圖10-69所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，若uC（0-）=5V，則uL（0+）=（）V。

在R、L串聯(lián)電路中，激勵信號產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。

在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。

判斷如下幾種說法，錯誤的有（）。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點下部磁感應(yīng)強度為B2=12i+16j，則A點上部的磁感應(yīng)強度B1為（）。

真空中有一載流I=500A的無限長直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點處的磁感應(yīng)強度B的大小為（）T。