共價(jià)晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

簡述雜質(zhì)對擴(kuò)散的影響。