A.內(nèi)存速度用進(jìn)行一次讀或?qū)懖僮魉ㄙM(fèi)的“訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間”來(lái)描述
B.DRAM的主要參數(shù)有兩個(gè)：存儲(chǔ)容量和工作頻率，工作頻率反映了存儲(chǔ)器讀寫(xiě)單元的速度
C.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）集成度低，生產(chǎn)成本高，一般用在比內(nèi)存小得多的高速緩沖存儲(chǔ)器
D.斷電后RAM中的內(nèi)容全部丟失，目前使用的RAM多數(shù)為MOS型半導(dǎo)體集成電路