填空題在一般情況下，離子晶體的結(jié)構(gòu)與離子半徑、離子堆積方式、（）和離子極化性質(zhì)四個因素有關(guān)。

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1.單項(xiàng)選擇題為了獲得致密的制品，必須防止或減緩二次再結(jié)晶過程。工藝上常采用的方法表達(dá)不正確的是（）。?

A.嚴(yán)格控制燒結(jié)溫度
B.使物料顆粒細(xì)小而均勻
C.加入大量的添加物
D.采用熱壓燒結(jié)

2.單項(xiàng)選擇題過冷度、臨界晶核半徑和成核勢壘是熔體析晶過程中的重要物理參數(shù)，它們之間的關(guān)系是（）。?

A.過冷度越大，臨界晶核半徑越大，成核勢壘越大
B.過冷度越大，臨界晶核半徑越大，成核勢壘越小
C.過冷度越大，臨界晶核半徑越小，成核勢壘越大
D.過冷度越大，臨界晶核半徑越小，成核勢壘越小

3.單項(xiàng)選擇題熔體析晶時，其晶粒尺寸與成核速率（I）和晶體生長速率（U）有關(guān)，下列說法正確的是（）。?

A.I 越大，晶粒尺寸越大
B.I 越小，晶粒尺寸越大
C.U 越小，晶粒尺寸越大
D.U 越大，晶粒尺寸越大

4.單項(xiàng)選擇題液-固相變時，非均態(tài)成核勢壘（ΔGh*）、接觸角（θ）和晶核與雜質(zhì)的界面能（γXS）之間的關(guān)系為（）。?

A.γXS越小，θ越小，ΔGh*越小
B.γXS越小，θ越小，ΔGh*越大
C.γXS越小，θ越大，ΔGh*越小
D.γXS越小，θ越大，ΔGh*越大