單項(xiàng)選擇題?對(duì)增強(qiáng)型MOS管,只有在柵源電壓絕對(duì)值大于()后,才會(huì)形成導(dǎo)電溝道。

A.導(dǎo)通電壓絕對(duì)值
B.開(kāi)啟電壓絕對(duì)值
C.死區(qū)電壓
D.夾斷電壓絕對(duì)值


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1.單項(xiàng)選擇題?晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí),要求()。

A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。
B.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏。
C.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。
D.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。

3.單項(xiàng)選擇題

分析下圖所示交流通路,設(shè)其直流通路合理,則所述正確的是()。

A.構(gòu)成電感三點(diǎn)式振蕩電路
B.構(gòu)成電容三點(diǎn)式振蕩電路,將其中的電感用石英晶體代替,則組成并聯(lián)型晶體振蕩電路
C.不能產(chǎn)生正弦波
D.構(gòu)成電容三點(diǎn)式振蕩電路,將其中的電感用石英晶體代替,則組成串聯(lián)型晶體振蕩電路

4.單項(xiàng)選擇題

圖示電路的電壓放大倍數(shù)是()。

A.3
B.4
C.-4
D.-3