CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

高壓高溫合成法目的是尋求經卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。