單項(xiàng)選擇題理想的砷化鎵二極管其切入電壓為？（）
A.0V
B.0.2V
C.0.6V
D.1.1V
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1.單項(xiàng)選擇題稽納電壓在5V時(shí)，是屬于何種崩潰效應(yīng)（）
A.稽納崩潰
B.累增崩潰
C.以上皆可能
D.以上皆非
2.單項(xiàng)選擇題一個(gè)理想的鍺質(zhì)PN二極管，在溫度為75℃時(shí)，其動態(tài)電阻rd=3Ω，若在順向電流不變下，溫度提高至133℃時(shí)，其rd為何？（）
A.3Ω
B.3.5Ω
C.4Ω
D.4.5Ω
3.單項(xiàng)選擇題在下列何種情況時(shí)，PN接面出現(xiàn)的空乏區(qū)會更顯著？（）
A.短路時(shí)
B.斷路時(shí)
C.外加順向偏壓時(shí)
D.外加逆向偏壓時(shí)
4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于稽納二極管的敘述，下列何者為是？（）
A.VZ大于6V，呈累增崩潰，其溫度系數(shù)為正
B.VZ大于6V呈稽納崩潰，其溫度系數(shù)為正
C.VZ小于5V呈稽納崩潰，溫度系數(shù)為正
D.VZ的電壓在5～6V之間，溫度系數(shù)為負(fù)
5.單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中，傳導(dǎo)電流的載子主要是（）
A.電子
B.離子
C.電洞
D.質(zhì)子
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555時(shí)基電路的主要功能不包括以下哪項(xiàng)？（）
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