理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。