CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產生的正離子數，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據離子電流的大小指示真空度。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。