A.p區(qū)邊界電子濃度為零B.n區(qū)邊界空穴濃度為零C.p區(qū)邊界少子濃度為零D.n區(qū)邊界少子濃度為零E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法B.擴散法C.離子注入法D.外延生長法
A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費米能級B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)