處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。