最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）