半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。