單項選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
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1.單項選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時功率
C、有功功率
D、無功功率
2.單項選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時,則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
3.單項選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
4.單項選擇題正弦交流電路中,一般電壓表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬時值
C、平均值
D、有效值
5.單項選擇題電容量的單位符號是()。
A、C
B、F
C、S
D、T
最新試題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題