A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
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A、1/2波長的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長的整數(shù)倍時(shí)
A、tp=1＋rp
B、R=rp2
C、D=1－rp2
D、以上都不對
A、（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）
B、2Z2/（Z1＋Z2）
C、4Z1×Z2/（Z1＋Z2）2
D、[（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）]2
A、1/2波長的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長的整數(shù)倍時(shí)
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
最新試題
渦流探傷中平底盲孔缺陷對于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測中較多采用。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
各類渦流檢測儀器的工作原理和（）是相同的。
渦流檢測線圈的自感式線圈由（）構(gòu)成。
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
無損探傷檢測采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長范圍為（）mm，峰值波長為365mm。
當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動(dòng)探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。