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為了減少磁盤驅(qū)動器的存取時間,可以采取的措施有()
I、提高磁盤機(jī)主軸轉(zhuǎn)速
II、提高I/O總線速度
III、設(shè)置磁盤Cache
IV、改善訪問方式,兼用順序訪問和隨機(jī)訪問兩種方式
A.I、II和III
B.I、III
C.III和IV
D.I、II、III和IV
A.指令執(zhí)行速度快,指令功能的修改和擴(kuò)展容易
B.指令執(zhí)行速度慢,且指令功能的修改和擴(kuò)展較難
C.指令執(zhí)行速度慢,但指令功能的修改和擴(kuò)展較容易
D.指令執(zhí)行速度快,指令功能的修改和擴(kuò)展較難
最新試題
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜(1)微程序控制器是通過()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號被讀出后,還需經(jīng)過一個()送到被控制部件。(3)相對硬連線控制器,微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運(yùn)行速度,控制器部件應(yīng)選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。
在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜(1)一個指令周期中,()是每一條指令都必須執(zhí)行的,所完成的功能對所有指令都相同。(2)一個指令周期中,()對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。(3)一條指令在執(zhí)行過程中,一定要完成()并保存,以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。(4)指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是()。(5)指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施,但它的()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令(1)近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù),適合選用()接口。(2)遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息,更適合選用()接口。(3)接口與端口是兩個不同的概念,()是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。(4)CPU通過()可以從有關(guān)端口讀取信息。(5)CPU也可以通過()把信息寫入有關(guān)端口。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
計(jì)算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。